Калькулятор порогового напряжения MOSFET (VT0)
Точный физический расчет (модель С. Зи / IEEE): эффект подложки, емкость затвора и декомпозиция зон
Готовые пресеты технологий:
Пороговое напряжение (VT0)
—
При нулевом смещении исток-подложка (VSB = 0 В)
Порог со смещением VT(VSB)
—
Сдвиг за счет Body Effect: ΔVT = 0 В
Режим канала
—
Тип проводимости и состояние покоя
Кривая эффекта подложки: Зависимость VT от VSB
Модель инверсии Зи
Кривая сдвига VT(VSB)
Текущая рабочая точка (VSB, VT)
Рассчитанные микропараметры структуры
SI / Микроэлектроника
- Удельная емкость затвора Cox: —
- Потенциал плоских зон VFB: —
- Потенциал Ферми подложки φF: —
- Коэффициент подложки γ: —
- Макс. глубина обеднения Wdm: —
- Обедненный заряд |Qdep0|: —
SAS инструменты Сайт с 1000 ми полезных инструментов и калькуляторов SAS